[发明专利]光掩模、显示装置以及该显示装置的制造方法在审
申请号: | 202110300672.4 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN113448160A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 申东熹;李根虎;李龙熙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F9/00 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 史迎雪;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及光掩模、显示装置以及该显示装置的制造方法。根据示例性实施例的光掩模包括:掩模基板;以及沿掩模基板的第一边缘设置的第一测试图案和第二测试图案,其中第一测试图案具有第一外部形状和第一内部形状,第二测试图案具有第二外部形状,并且第二测试图案的第二外部形状大于第一测试图案的第一内部形状,并且小于第一测试图案的第一外部形状。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 显示装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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