[发明专利]DRAM存储阵列的修复方法及相关设备有效
| 申请号： | 202110302568.9 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN112908397B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 张朝锋;王春娟;王砚 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 吴莹 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请实施例通过提供一种DRAM存储阵列的修复方法及相关设备，用于解决常规的修复过程存在良率缺失的问题。上述方法包括：根据冗余资源和失效超级块，确定所述DRAM存储阵列中的存储块是否满足超级块修复条件，其中，所述超级块修复条件用于判断所述DRAM存储阵列中的冗余资源的数量是否满足所述存储块的失效超级块的修复数量，所述冗余资源和所述失效超级块均属于所述存储块，所述冗余资源为所述存储块中用于修复失效的存储介质，所述存储块中包含有超级块及子块，所述失效超级块为所述存储块中经检测已失效的超级块；若满足所述超级块修复条件，则生成对应的超级块修复方案；根据所述超级块修复方案，对所述DRAM存储阵列中的所述存储块进行修复。 | ||
| 搜索关键词： | dram 存储 阵列 修复 方法 相关 设备 | ||
【主权项】：
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