[发明专利]一种平坦化绝缘层及制作方法在审
| 申请号： | 202110302613.0 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113224004A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈宇怀 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公布一种平坦化绝缘层及制作方法，其中平坦化绝缘层包括金属层和绝缘层；所述金属层设置在基板上；所述绝缘层包括下层绝缘层和上层绝缘层，所述下层绝缘层设置在基板上，并围绕金属层，所述下层绝缘层的顶部和所述金属层的顶部相平，所述上层绝缘层覆盖所述下层绝缘层和所述金属层，所述上层绝缘层的顶部平整。上述技术方案绝缘层的顶部保持在同一水平高度，避免产品的品质受到影响。由于绝缘层的顶部平坦，之后不再需要考虑段差处的膜层厚度与平坦区域存在差异所带来的工艺兼容性的影响，有利于达到基板各区域线宽及间距的一致性，可以提高工艺精度，提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平坦 绝缘 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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