[发明专利]GaAs芯片失效分析样品及制备方法在审
| 申请号： | 202110303325.7 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113075522A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 殷荣;陈佳妃 | 申请（专利权）人： | 苏试宜特（上海）检测技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 季辰玲 |
| 地址： | 201103 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种GaAs芯片失效分析样品及制备方法，该制备方法包括步骤：对GaAs芯片的基板进行研磨，使所述GaAs芯片露出晶背；对露出晶背的GaAs芯片进行热点定位，确认失效位置；对所述GaAs芯片的晶背进行物理减薄，使减薄后的厚度满足切割操作厚度；利用红外显微镜对减薄后的GaAs芯片进行扫描并再次确认所述失效位置；根据所述失效位置对减薄后的GaAs芯片进行切割并形成失效分析样品。本发明方法取消了传统化学法解封塑封体，避免了对GaAs芯片的金属走线的破坏，提高了制样成功率并保证了后续的失效分析效果。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 芯片 失效 分析 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏试宜特（上海）检测技术有限公司，未经苏试宜特（上海）检测技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110303325.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
