[发明专利]晶圆及其制造方法在审
申请号: | 202110303614.7 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN112908959A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 王嵩;谈杰;刘成 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L27/108;H01L21/60 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 关丽丽;郑建晖 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及晶圆及其制造方法。所述晶圆至少包括:衬底;以及,位于衬底上的M层金属,所述M层金属与衬底的距离彼此不同;其特征在于,焊盘引线,所述焊盘引线从距离所述衬底最近的第一层金属引出;其中,M为大于或等于1的正整数。在所述晶圆中,焊盘引线从距离晶圆的衬底最近的第一层金属引出,解决了现有技术中晶圆正面混合键合之后无法引出焊盘引线的技术问题,同时不存在多层金属的层叠,使得输入输出焊盘电容较小,对输出信号以及其他信号的影响较小。 | ||
搜索关键词: | 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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