[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110304024.6 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113053900B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 郭帅 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：第一基底，第一基底包括堆叠设置的位线、晶体管和第一接触结构；与第一基底相键合的第二基底，第二基底包括堆叠设置的第二接触结构和电容，且第二接触结构与第一接触结构正对接触；其中，第一接触结构具有朝向第二基底的第一面以及与第一面相对的第二面，且第一面的面积大于第二面的面积；第二接触结构具有朝向第一基底的第三面以及与第三面相对的第四面，且第三面的面积大于第四面的面积。本发明实施例能够降低DRAM的制造工艺难度，缩短生产周期，提高DRAM的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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