[发明专利]一种基于羽毛状多孔氧化物忆阻器

摘要

本发明提出一种基于羽毛状多孔氧化物忆阻器，整体结构由下至上依次包括底电极层、多孔缓冲层、氧化物层、顶电极层；底电极层为P型(100)高掺硅，电阻率0.0015Ω*m；多孔缓冲层为羽毛状多孔Si/SiOx，羽片之间呈现规则的紧密插层排列，作为氧化物层的金属离子输运通道并为金属离子提供稳定的存储位点；氧化物层作为阻变功能层，在最初状态下氧化物层为绝缘体，当施加电压时，氧化物层中的金属离子如Li+、Na+、K+、Mg2+从氧化物层中脱出，使氧化物层由绝缘体变成半导体或导体，离子迁移并稳定的存储在多孔缓冲层内，实现器件从高阻态向低阻态的转变；当施加反向电压时，金属离子从多孔缓冲层中脱出，回嵌到氧化物层中，完成器件从低阻态向高阻态的转变。