[发明专利]研磨方法及半导体基板的制造方法在审
| 申请号： | 202110305597.0 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113493651A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 吉崎幸信;枪田哲;井川裕文 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种研磨方法及半导体基板的制造方法。所述研磨方法中，硅锗的研磨速度足够高、且抑制硅锗的蚀刻，从而硅锗的研磨速度的选择比足够高。本发明的研磨方法包括如下工序：使用研磨用组合物对包含硅锗的研磨对象物进行研磨，前述研磨用组合物包含磨粒、无机盐、及具有酸基的研磨促进剂，且pH为8以上。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 方法 半导体 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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