[发明专利]一种半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 202110306176.X | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN112701036B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 刘小东;方建智;黄志贤;陈锦 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 夏苗苗 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件的制造方法。所述制造方法包括提供一晶圆，所述晶圆表面具有源极区域、漏极区域以及栅氧化层；形成一硅层于所述源极区域、漏极区域以及栅氧化层上；形成一钴金属层于所述硅层上，并放入一溅镀装置的反应室中；溅镀形成一钛金属层于所述钴金属层上；溅镀形成一氮化钛层于所述钛金属层上；执行光照退火步骤，以反应形成硅化钴层；移除所述氮化钛层、钛金属层；其中，在形成所述钛金属层和所述氮化钛层的过程中，控制所述溅镀装置中金属靶材上的钛金属与氮化钛的重量比为1.6~2.4，以使所述钛金属将所述氮化钛黏附于所述金属靶材上。本发明解决了因金属靶材边缘附着大量氮化钛颗粒而易掉落到晶圆表面上的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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