[发明专利]三维存储器及其制备方法

摘要

本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该方法包括：在衬底上依次形成第一刻蚀停止层、第二刻蚀停止层以及叠层结构；形成贯穿叠层结构并延伸至衬底的沟道孔，并在沟道孔的内壁依次形成功能层和沟道层，以形成沟道结构；刻蚀衬底至第一刻蚀停止层，以暴露功能层的延伸至衬底的部分；刻蚀第一刻蚀停止层和功能层的延伸至衬底的部分至第二刻蚀停止层，以暴露沟道层的延伸至衬底的部分；以及在第二刻蚀停止层的远离叠层结构的一侧形成源极层，以覆盖暴露的沟道层的延伸至衬底的部分。该三维存储器的制备方法有助于控制去除衬底过程中的工艺均匀性，并确保暴露的沟道层的均匀性，有利于改善制备完成后的三维存储器的电气性能。