[发明专利]芯片老化测试方法与装置、存储介质、测试设备在审
| 申请号： | 202110306995.4 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113075529A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 金罗军;温佳欣;张桂玉 | 申请（专利权）人： | 北京灵汐科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京知帆远景知识产权代理有限公司 11890 | 代理人： | 崔建锋 |
| 地址： | 100080 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片老化测试方法与装置、存储介质、测试设备，其中，芯片老化测试方法包括以下步骤：确定芯片中的待运行模块，并根据至少待运行模块定制测试向量；将测试向量输入芯片，以使至少待运行模块进行工作；获取芯片温度，并根据芯片温度对测试向量进行控制，以使芯片温度满足预设的测试要求。由此，该芯片老化测试方法可以不需要依靠老化板上的温度传感器，还能够更具针对性地对芯片中的模块进行测试，在降低测试成本的同时，提高了老化测试结果的准确性和有效性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 老化 测试 方法 装置 存储 介质 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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