[发明专利]激光结合HF湿刻蚀加工TGV通孔的工艺有效
| 申请号： | 202110307378.6 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN112864026B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡星周;张继华;穆俊宏;贾惟聪;李文磊;郭欢 | 申请（专利权）人： | 三叠纪（广东）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 李鹏 |
| 地址： | 523947 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种激光结合HF湿刻蚀加工TGV通孔的工艺，包括A、利用激光在玻璃晶圆上预设小孔；B、将玻璃晶圆放入装有HF溶液的容器，将容器放入超声设备中，开启超声设备，利用HF溶液将玻璃晶圆上的小孔腐蚀至需要的直径；C、取出玻璃晶圆，用去离子水清洗干净；D、检测玻璃通孔的孔径和通透性。通过激光诱导作用，可采用HF溶液刻蚀出孔径小于或等于50μm的圆孔，效率高，且通孔内壁光滑，锥度小，通孔密度可大于2500个/cm |
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| 搜索关键词： | 激光 结合 hf 刻蚀 加工 tgv 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
