[发明专利]一种改变霍尔推力器磁场后加载程度的磁路结构有效
| 申请号： | 202110307639.4 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN112943572B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李鸿;曾德迈;丁永杰;魏立秋;于达仁 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | F03H1/00 | 分类号： | F03H1/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 岳昕 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种改变霍尔推力器磁场后加载程度的磁路结构，涉及磁路设计技术领域，针对现有技术中加速区高能离子对放电通道壁面的溅射侵蚀使得霍尔推力器寿命低的问题，本发明所提出的磁路形成的磁场正梯度强磁场区位于通道外，且可以通过改变磁路结构实现不同后加载程度。可以大幅度改变通道内磁场强度分布，后加载程度可在0‑50％范围内连续可调节，可控制场强峰值位于通道出口内部或外部，进而延长了霍尔推力器的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改变 霍尔 推力 磁场 加载 程度 磁路 结构 | ||
【主权项】：
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