[发明专利]一种基于拉曼残余应力检测的碳化硅内部微裂纹深度定位方法在审
| 申请号： | 202110307684.X | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113075195A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王振宇;陈苏 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人： | 卞静静 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅内部损伤的无损检测，公开了一种基于拉曼残余应力检测的碳化硅内部微裂纹深度定位方法。该方法包括一种基于共聚焦拉曼光谱检测微裂纹边缘残余应力的方法和一种残余应力定位碳化硅内部微裂纹深度的方法。微裂纹边缘残余应力检测的方法包括：微裂纹边缘外拉曼信号的测量；对拉曼信号采集点按特定水平距离排列；双轴应力方式计算残余应力。残余应力定位微裂纹深度的方法包括以下步骤：建立采集点列方向上残余应力随深度分布曲线图；将不同分布曲线上残余应力最大值所在深度连线；延长连线6μm，连线尽头就是微裂纹所在深度。本发明所设计方法检测范围小，在无损检测碳化硅内部微裂纹深度的目标下，提高了检测的效率和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 残余 应力 检测 碳化硅 内部 裂纹 深度 定位 方法 | ||
【主权项】：
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