[发明专利]一种光疗用红黄光芯片的外延结构及制备方法有效
申请号: | 202110307977.8 | 申请日: | 2021-03-23 |
公开(公告)号: | CN113161454B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 罗轶;张健;郭庆霞;易斌;吴雪 | 申请(专利权)人: | 北京创盈光电医疗科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/40;H01L33/00;A61N5/06 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 张瑞雪 |
地址: | 102600 北京市大兴区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请涉及发光二极管技术领域和光医疗器械领域,具体公开了一种光疗用红黄光芯片的外延结构及制备方法。光疗用红黄光芯片的外延结构包括GaAs衬底层以及依次设于GaAs衬底层上的超辐射发光二级管区、隧道结和发光二极管区,超辐射发光二级管区包括第一波导层、第一量子阱层以及第二波导层,第一量子阱层设于第一波导层与第二波导层之间,且第二波导层位于第一波导层上方。本申请的光疗用红黄光芯片可作为光疗仪的光源,与传统的发光二极管光源相比,具有频率分布集中度高,半波宽窄的优点,有利于提高治疗效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 光疗 用红黄光 芯片 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
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