[发明专利]一种GHz频段高吸波性能铁基纳米晶合金的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110308314.8 申请日: 2021-03-23
公开(公告)号: CN113073178A 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 王邦汉;韩满贵 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C21D1/26 分类号: C21D1/26;C21D6/00;C21D9/52;C22C45/02;B22F1/00;B22F9/04;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于软磁合金材料领域,特别是涉及一种GHz频段高吸波性能铁基纳米晶合金的制备方法。该方法通过快速升温的方式对成分为Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带进行退火处理,使得纳米晶从非晶基质上析出;在快速退火处理的过程中,通过控制工艺参数,实现降低介电常数改善阻抗匹配,提高吸波性能的目的。在上述步骤的基础上再对得到的铁基纳米晶合金薄带片状化处理,进一步提高磁导率,确保在GHz频段具有较好的吸收效果。相较于现有的表面包覆方式,无需对使用的材料进行改性掺杂、整个制备过程简单方便、易操作。
搜索关键词: 一种 ghz 频段 高吸波 性能 纳米 合金 制备 方法
【主权项】:
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