[发明专利]一种Flash多区块读写抗干扰方法、系统、装置及存储介质在审
| 申请号： | 202110308999.6 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113050889A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 杨晓生;张如宏;胡来胜;张辉;陈向兵 | 申请（专利权）人： | 深圳三地一芯电子有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 吴珊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种Flash多区块读写抗干扰方法、系统、装置及存储介质，涉及多区块读写的技术领域，其中方法包括：进行抽检扫描，对各个区块读写数据，得出各个区块的扫描结局；按照区块的数量检查区块干扰，如只有2个区块A，B；按照受影响关系建立干扰表格，并根据干扰关系打包多个区块。本申请具有保障存储设备的稳定，延长存储设备的寿命的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 flash 区块 读写 抗干扰 方法 系统 装置 存储 介质 | ||
【主权项】：
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