[发明专利]双导电层包覆的富锂锰基正极材料及其制备方法和应用在审
申请号: | 202110309031.5 | 申请日: | 2021-03-23 |
公开(公告)号: | CN113078315A | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 王丽平;罗春;牛晓滨 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01M4/62 | 分类号: | H01M4/62;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/131;H01M10/0525;C01G53/00;C01G45/12;C01B32/205;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539 | 代理人: | 李楠 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明涉及一种双导电层包覆的富锂锰基正极材料及其制备方法和应用。所述富锂锰基正极材料的结构自内向外为:富锂锰基材料内核、尖晶石锰酸锂包覆层和氮掺杂的石墨化碳包覆层,并且所述尖晶石锰酸锂包覆层和氮掺杂的石墨化碳包覆层之间存在交叠区域,交叠区域的厚度为2‑20nm;所述尖晶石锰酸锂包覆层和氮掺杂的石墨化碳包覆层的质量和占所述富锂锰基正极材料的质量分数为1%‑10%;所述富锂锰基正极材料的化学表达式为xLi[Li |
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搜索关键词: | 导电 层包覆 富锂锰基 正极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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