[发明专利]低介电常数交联型含氟聚芳醚腈薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110309603.X | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN112851996B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 黄宇敏;刘宸辰;曾子秋;王登善;刘孝波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C08J7/12 | 分类号： | C08J7/12;C08J5/18;C08L71/10;C08G65/40 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 张小丽 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数交联型含氟聚芳醚腈薄膜及其制备方法和应用，属于高分子合成技术领域。本发明将可交联聚芳醚腈I、催化剂溶于极性溶剂中，通过流延成膜法，制得可交联型聚芳醚腈薄膜；其经烘干成型后，再进行高温热处理；冷却后，将薄膜浸泡在水，烘干，得到低介电常数交联型含氟聚芳醚腈薄膜。本发明以可交联的含氟聚芳醚腈为原料，通过交联反应，使聚芳醚腈主链上的极性氰基基团发生交联反应，形成致密的网络结构，从而得到低介电含氟聚芳醚腈薄膜，且具有更加优异的耐热性和强度。本发明制备方法简单且易于工业化操作，所得低介电薄膜可应用在集成电路、5g通信天线材料或柔性覆铜板等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 交联 型含氟聚芳醚腈 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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