[发明专利]像素结构、红外图像传感器和电子设备在审
申请号: | 202110312917.5 | 申请日: | 2021-03-24 |
公开(公告)号: | CN112864258A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 杜思超 | 申请(专利权)人: | 南京扬字源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/107;H01L31/108;H01L27/146 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 钟锦舜 |
地址: | 210029 江苏省南京市建邺区汉*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请提供一种像素结构、红外图像传感器和电子设备。该像素结构中,第一绝缘层中开设有与第一阱区相对的第一过孔,石墨烯填充第一过孔并与第一阱区形成异质结,深阱区与第一阱区的下端部以及第二阱区的下端部相连;第一电极与石墨烯电接触,第二阱区的上端部与第二电极形成欧姆接触;第一阱区、第二阱区和深阱区的导电类型相同,第二阱区环绕第一阱区且二者之间设置有隔离槽。本申请的像素结构能够响应非常宽的红外光谱范围。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 红外 图像传感器 电子设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的