[发明专利]MOM电容的形成方法在审
| 申请号： | 202110313014.9 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113192926A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 韩国庆;吴慧慧;吴姗姗 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOM电容的形成方法中，包括：提供半导体基底，包括相邻的第一区和第二区，在半导体基底上分别形成顶层金属层和钝化层；部分刻蚀位于第一区的钝化层露出顶层金属层的表面，以形成呈叉指形状的图案化的钝化层；以图案化的钝化层为掩膜刻蚀位于第一区的顶层金属层和部分半导体基底，以形成呈叉指状的图案化的顶层金属层和图案化的半导体基底；在图案化的钝化层表面和图案化的半导体基底的表面形成介质层，介质层覆盖图案化的钝化层、图案化的顶层金属层和图案化的半导体基底的侧壁；刻蚀位于第二区的介质层和图案化的钝化层露出顶层金属层的表面，以形成焊垫。本发明可以保持图案化的顶层金属层(叉指结构)的顶部完整。 | ||
| 搜索关键词： | mom 电容 形成 方法 | ||
【主权项】：
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