[发明专利]一种全集成Full-NMOS功率管高侧驱动电路有效
| 申请号： | 202110313233.7 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113225054B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张纪夫 | 申请（专利权）人： | 芜湖威尔芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081;H03K17/042;H03K17/687 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 尹晓雪 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区芜湖高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全集成Full‑NMOS功率管高侧驱动电路，包括开关控制模块、箝压模块和输出驱动模块，其中，开关控制模块的第一输入端输入高侧开关电压信号，第二输入端输入低侧开关电压信号，开关控制模块的第一输出端连接箝压模块的第一输入端，开关控制模块的第二输出端连接输出驱动模块的输入端，开关控制模块的第三输出端连接箝压模块的第三输入端，箝压模块的第二输入端连接外接上功率管的源极，箝压模块的输出端连接外接上功率管的栅级，输出驱动模块的输出端连接外接上功率管的栅级。该电路实现了一种无需片外电容的Full‑NMOS功率管高侧驱动，有效地将上功率管的栅源电压控制在5V以内，保证上功率管不被击穿，最大程度上导通上功率管，降低导通损耗无需。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 full nmos 功率管 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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