[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
| 申请号： | 202110313531.6 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113451113A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 秋山胜哉;吉田幸史 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法包含：亲水化步骤，使衬底的表面亲水化；处理液供给步骤，向已亲水化的所述衬底的表面供给处理液；处理膜形成步骤，使供给至所述衬底的表面的所述处理液固化或硬化，在所述衬底的表面形成保持所述衬底的表面所存在的去除对象物的处理膜；及剥离步骤，向所述衬底的表面供给剥离液，将保持着所述去除对象物的状态的所述处理膜从所述衬底的表面剥离。所述剥离步骤包含使所述处理膜部分溶解于所述剥离液，而在所述处理膜形成贯通孔的贯通孔形成步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
