[发明专利]带有镀膜结构的半导体在审
| 申请号： | 202110313809.X | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN115132830A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 宿志影 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种带有镀膜结构的半导体，包括半导体本体和过渡层，过渡层设于半导体本体上，形成过渡层的步骤包括：在半导体本体上沉积第一DLC层，并以惰性气体作为蚀刻气体，对沉积第一DLC层后的半导体本体进行离子束刻蚀，以使半导体本体的表面形成过渡层；带有镀膜结构的半导体还包括第二DLC层，第二DLC层设于过渡层上。本发明实施例的镀膜结构的形成包括“沉积”、“蚀刻”和“沉积”，而不是一步涂层，由于存在混合边界，这三步沉积具有良好的附着力，可以通过刻蚀离子能量来调节，通过沉积和蚀刻反结合过程形成过渡层，过渡层实际上是碳亚植入到衬底上，以使涂层碳层在混合层上具有良好的附着力，从而获得良好的镀膜效果。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 镀膜 结构 半导体 | ||
【主权项】：
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