[发明专利]一种低温烧结的锑锰酸铅-锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 202110313994.2 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113149644A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 边浪;曹文武 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/493 | 分类号： | C04B35/493;C04B35/622;C04B35/64;C04B41/88 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 裴闪闪 |
| 地址： | 150001 黑*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
一种低温烧结的锑锰酸铅‑锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷及其制备方法。本发明属于压铁电材料领域。本发明是为了解决现有硬性陶瓷烧结温度高、压电性能较低的技术问题。本发明的一种低温烧结的锑锰酸铅‑锆钛酸铅低介电损耗压电陶瓷的化学通式为0.05Pb(Mn |
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| 搜索关键词： | 一种 低温 烧结 锑锰酸铅 锆钛酸铅低介电 损耗 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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