[发明专利]一种用于CMOS宽带幅相多功能芯片的衰减器电路在审
| 申请号： | 202110315189.3 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113114162A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 庞东伟;吴士伟;桂勇锋;王小虎;韦玲玲 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | H03H11/24 | 分类号： | H03H11/24 |
| 代理公司： | 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 | 代理人： | 何梓秋 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于CMOS宽带幅相多功能芯片的衰减器电路，属于衰减器电路技术领域，包括依次连接的源随器电路、无源衰减器电路、共栅放大器电路，所述无源衰减器电路包括依次连接的多个基本衰减单元。本发明电路的前后级分别为源随器、共栅放大器，弥补了传统的带MOS开关管的电阻网络隔离度差、衰减器性能易受前后级负载变化的缺点；各个基态衰减单元衰减值和调相指标不随前后级负载变化，易于级联衰减性能优化；可级联到宽带幅相多功能芯片中，且不会恶化可用衰减带宽、衰减精度、寄生调相等核心指标，值得被推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 cmos 宽带 多功能 芯片 衰减器 电路 | ||
【主权项】：
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