[发明专利]晶圆结构及其制备方法、三维存储器、电子设备

摘要

本申请提供了一种晶圆结构，所述晶圆结构包括晶圆及薄膜层，所述薄膜层设置于所述晶圆的一侧，所述薄膜层包括至少一个第一薄膜部及至少一个第二薄膜部，所述第一薄膜部连接所述第二薄膜部，且所述第一薄膜部与所述第二薄膜部的翘曲程度不同。通过工艺技术可对所述薄膜层的不同位置进行定制化翘曲，使得所述薄膜层形成多个所述第一薄膜部及多个所述第二薄膜部，从而控制所述晶圆结构的翘曲程度，则可以实现不同径向上的翘曲程度相同，且避免翘曲程度过大。本申请还提供了一种晶圆制备方法、三维存储器及电子设备。