[发明专利]晶圆处理装置及晶圆缺陷评价方法有效
| 申请号： | 202110317141.6 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN112701072B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 蒲以松;独虎;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京远创理想知识产权代理事务所(普通合伙) 11513 | 代理人： | 李蔚君 |
| 地址： | 710032 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆处理装置及晶圆缺陷评价方法，所述晶圆处理装置包括电解槽、电源、电解阴极、电解阳极和支架，所述电解阴极、电解阳极和支架设置在电解槽内，所述电源为所述电解阴极和电解阳极供电，所述电解阴极安装在所述支架上，所述支架上安装的所述电解阴极能够与至少两片晶圆接触，所述电解阳极与所述晶圆不接触，所述电解槽内能够容纳电解质溶液，所述电解阴极、电解阳极和晶圆位于所述电解质溶液内。本发明提供的晶圆处理装置及晶圆缺陷评价方法可以有效提高待测晶圆的处理数量，并且不会影响铜沉积效果和实验条件，能够保证实验结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 缺陷 评价 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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