[发明专利]高品质因数氧化镓晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110317591.5 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113066857A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 徐光伟;周选择;赵晓龙;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高品质因数氧化镓晶体管，包括：由下到上依次叠置的单晶氧化镓衬底(1)、氧化镓外延层(2)和变掺杂沟道层(3)；源极(S)和漏极(D)，分别位于变掺杂沟道层(3)表面两端；介质层(4)，位于变掺杂沟道层(3)表面且连接源极(S)和漏极(D)；栅极(G)，位于介质层(4)表面；其中，变掺杂沟道层(3)中的对应位置的掺杂浓度与该对应位置与栅极(G)的距离有关。本发明突破了击穿电压与导通电阻之间的矛盾，在高功率电子器件领域有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 品质因数 氧化 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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