[发明专利]具有变K介质槽复合终端的氧化镓结势垒肖特基二极管在审
| 申请号： | 202110317636.9 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113066871A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;鲁娟;魏雨夕;杨可萌;魏杰;蒋卓林;王元刚;吕元杰;冯志红 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L29/40 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有变K介质槽复合终端的氧化镓结势垒肖特基二极管(JBSD)。本发明的主要特征是新器件引入了变K介质槽复合终端，且复合终端主要包含：与氧化镓相比具有更小介电常数和更高临界击穿电场强度的凹槽形状介质层，填充在凹槽形状介质层上且介电常数更大的介质层，与阳极金属连接的倾斜场板。反向阻断时，凹槽形状介质层使器件能在较短终端长度下承受高外加电压；倾斜场板和填充介质层能吸引电位移线，从而大幅缓解有源区边界PN结的电场尖峰，提高器件耐压。相较于采用常规终端结构的氧化镓JBSD，本发明可在更短的终端长度下提高器件耐压，增强器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 有变 介质 复合 终端 氧化 镓结势垒肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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