[发明专利]发光二极管的图形化衬底、发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110317828.X 申请日: 2021-03-25
公开(公告)号: CN113097357B 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 李彬彬;彭鹏飞;霍曜;李瑞评;乔新宇;梅晓阳 申请(专利权)人: 福建晶安光电有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/10;H01L33/00;B82Y40/00
代理公司: 北京金咨知识产权代理有限公司 11612 代理人: 秦景芳
地址: 362411 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供了一种发光二极管的图形化衬底、发光二极管及其制备方法,其中,该图形化衬底包括:衬底和微纳复合图形结构。微纳复合图形结构形成于所述衬底的一侧表面;所述微纳复合图形结构包括主图形和表面微结构;所述主图形为凸部结构且包含不平行于所述衬底且背对所述衬底的侧面,所述表面微结构位于所述主图形的所述侧面,所述表面微结构包括垂直于所述主图形的所述侧面且背对所述衬底的所述侧表面的侧面。通过上述方案能够提高衬底的出光率,从而提高LED的亮度。
搜索关键词: 发光二极管 图形 衬底 及其 制备 方法
【主权项】:
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