[发明专利]一种多层干膜制作喷墨头空腔和流道的方法在审
| 申请号： | 202110318483.X | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113161235A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陆安江;张孝宇 | 申请（专利权）人： | 苏州印科杰特半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/32 | 分类号： | H01L21/32 |
| 代理公司： | 成都明涛智创专利代理有限公司 51289 | 代理人： | 冷亚君 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多层干膜制作喷墨头空腔和流道的方法，属于半导体加工领域；本发明通过多层干膜来制作喷墨头空腔和流道，首先，选择合适的硅圆片，作业通孔光刻和刻蚀，热板加热状态下贴第一层干膜，再作业光刻，使其形成支撑结构以后再固化，接着加热状态下贴第二层干膜，然后作业光刻，使第二层干膜形成带孔膜，平铺在第一层支撑结构上，从而形成空腔和流道，避免了硅圆片在键合工艺和减薄工艺中的风险，降低加工成本的同时还保证了良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 制作 喷墨 空腔 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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