[发明专利]像素阵列、具有像素阵列的影像感测器及其制造方法在审
申请号: | 202110319551.4 | 申请日: | 2021-03-25 |
公开(公告)号: | CN114464633A | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 周育晴;邓雅骏 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种像素阵列、具有像素阵列的影像感测器及其制造方法,像素阵列可包括金属屏蔽结构,此金属屏蔽结构在像素阵列中的像素感测器之间的栅格结构上。金属屏蔽结构横向地自栅格结构向外延伸以反射入射光的光子,否则此些光子可能会在栅格结构与像素阵列中的像素感测器的隔离结构之间行进。金属屏蔽的横向延伸反射了此些光子以减少相邻像素感测器之间的串扰,借此提高像素阵列的效能。 | ||
搜索关键词: | 像素 阵列 具有 影像 感测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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