[发明专利]半导体影像感测器和制造半导体影像感测器的方法在审
| 申请号： | 202110320061.6 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114464634A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 卢俊良;邱钲皓;林焕恩;周俊豪;李国政 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体影像感测器和制造半导体影像感测器的方法，半导体影像感测器包括像素。像素包括第一基板；以及在第一基板中的光电二极管。半导体影像感测器还包括电性连接到像素的互连件结构。半导体影像感测器还包括在介于互连件和光电二极管之间的反射结构，其中反射结构配置为将穿过光电二极管的光反射回朝向光电二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 影像 感测器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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