[发明专利]半导体存储器芯片在审
| 申请号： | 202110320615.2 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113270409A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;G11C11/412 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 半导体存储器芯片，包括第一静态随机存取存储器(SRAM)单元和第二SRAM单元。第一SRAM单元具有第一GAA晶体管，并且第二SRAM单元具有第二GAA晶体管。第一和第二SRAM单元具有相同的单元尺寸，并且第一和第二GAA晶体管具有相同的晶体管类型。此外，第一GAA晶体管具有第一临界电压，并且第二GAA晶体管具有第二临界电压。第二临界电压与第一临界电压不同。此外，第一GAA晶体管具有第一栅极堆叠，并且第二GAA晶体管具有第二栅极堆叠。第一栅极堆叠具有第一功函数值，并且第二栅极堆叠具有第二功函数值。第二功函数值与第一功函数值不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
