[发明专利]集成电路电源ESD防护布局结构在审
| 申请号： | 202110321790.3 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113097203A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 吴澄;戴锐;崔松叶 | 申请（专利权）人： | 深圳前海维晟智能技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 罗炳锋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 集成电路电源ESD防护布局结构，将集成电路中的工作电源VDD与电源地VSS以最小PAD宽度靠近构建，在工作电源VDD与电源地VSS之间的冗余空间分别为工作电源VDD与电源地VSS构建一个电源ESD保护电路；其中，工作电源VDD与电源地VSS的电源ESD保护电路由NMOS构建为同一个公用阱POWER ESD NMOS。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：在同等条件下，集成电路的面积能减小10％‑20％，能够兼容的封装形式更多，封装起来更灵活；能够尽可能的缩短作电源VDD与电源地VSS泄放通路，提升集成电路的电源ESD能力。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 电源 esd 防护 布局 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
