[发明专利]半浮栅存储器的制造工艺及半浮栅存储器

摘要

本发明提供了一种半浮栅存储器的制造工艺，包括：提供衬底；在衬底的上表面生成隧穿层和第一半导体，第一半导体包括覆盖端和邻接端，邻接端设于衬底且一侧邻接隧穿层，覆盖端覆盖隧穿层，第一半导体与隧穿层平行，且与衬底构成二极管结构；在第一半导体上间隔设置金属纳米晶。本发明通过第一半导体与衬底构成二极管结构，当导通时，实现了快速数据写入和存储功能，由于二极管结构和隧穿层的性能，金属纳米晶内的电荷不容易返流回衬底，从而增加了存储时间。最重要的，通过间隔设置金属纳米晶以在出现泄漏时其它位置的电荷依然可以固定在金属纳米晶中，有效地增强电荷保持能力，增加了存储器的刷新时间。另外，本发明还提供了半浮栅存储器。