[发明专利]N-TOPCon太阳能电池、组件、系统及电池中制备双面氧化硅的方法、设备在审
| 申请号： | 202110322400.4 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113193074A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 杜哲仁;崔义乾;黄健;乔振聪;陈嘉;刘荣林 | 申请（专利权）人： | 泰州中来光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 徐李娜;邓俊勇 |
| 地址： | 225500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N‑TOPCon太阳能电池、组件、系统及电池中制备双面氧化硅的方法、设备，其中方法包括：步骤S1.以N型硅作为衬底，在N型硅的正面制备p+掺杂区域；步骤S2.在N型硅的正面制备氧化硅薄膜，同时在N型硅的背面制备隧穿氧化层；步骤S3.在N型硅的背面制备掺磷多晶硅；步骤S4.在N型硅的正面和背面制备钝化膜后印刷金属电极。本发明在保证洁净度的同时，减少工序，解决N‑TOPCon工序多的问题，增强N‑TOPCon的核心竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | topcon 太阳能电池 组件 系统 电池 制备 双面 氧化 方法 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
