[发明专利]像素器件有效
| 申请号： | 202110323016.6 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113066810B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 顾超;冯鹏;郭振华;尹韬;于双铭;窦润江;刘力源;刘剑;吴南健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种像素器件，包括：衬底；光电二极管，形成于衬底上，光电二极管包括P型外延层，以及形成于P型外延层内的N型埋层和表面P+层，其中，表面P+层形成于N型埋层上；N型埋层包括第一离子注入区和第二离子注入区，第一离子注入区至少部分地形成于第二离子注入区上，其中，第一离子注入区包括中心区域及位于中心区域外缘的多个尖形区域；浮置扩散区，形成于P型外延层的除表面P+层以外的区域内；环形传输晶体管栅极，至少部分地形成于光电二极管的上表面，且环形传输晶体管栅极环绕浮置扩散区。由于光电二极管的N型埋层包括具有中心区域及位于中心区域外缘的多个尖形区域的第一离子注入区，加速了光生电荷从N型埋层向浮置扩散区的转移。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 器件 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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