[发明专利]一种氮化镓同质衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 202110323780.3 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113078046B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 谈逊;谈谦;江兵华 | 申请（专利权）人： | 华厦半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C14/06;C30B25/20;C30B29/40;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都正德明志知识产权代理有限公司 51360 | 代理人： | 张小娟 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市龙岗区坪地街道坪西社*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓同质衬底及其制备方法，制备方法包括以下步骤：先将氮化镓多晶基板涂镓氨化，然后非晶化处理，再将具有六方结构的二维晶体薄膜转移至多晶衬底基板上；然后对二维晶体薄膜表面处理，产生悬挂键；再在二维晶体薄膜上生长AlN成核层；随后在AlN成核层上外延生长氮化镓厚膜；最后将多晶衬底基板去除即得氮化镓同质衬底。本发明在氮化镓基板上利用可转移的单晶石墨烯为氮化物生长提供所需的六方模板，比蓝宝石等异质衬底上转移二维薄膜的热膨胀应力低，使得HVPE氮化镓厚膜生长空间得到提高，氮化镓自支撑衬底获得成本大为降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 同质 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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