[发明专利]基于CMOS工艺的红外探测器有效
| 申请号： | 202110324078.9 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN114088209B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 | 申请（专利权）人： | 北京北方高业科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/24 | 分类号： | G01J5/24 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 安伟 |
| 地址： | 100070 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器，包括像元，像元包括：CMOS测量电路系统和在其上直接制备的CMOS红外传感结构，二者均采用CMOS工艺制备；CMOS红外传感结构包括反射层、红外转换结构和多个柱状结构，柱状结构包括叠加设置的至少两层立柱，位于反射层和红外转换结构之间，反射层包括反射板和支撑底座，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；红外转换结构包括吸收板和多个梁结构，吸收板通过对应的梁结构与柱状结构电连接；至少两个红外探测器像元共用至少一个柱状结构；红外探测器像元还包括加固结构；加固结构用于增强柱状结构与红外转换结构之间的连接稳固性。解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cmos 工艺 红外探测器 | ||
【主权项】：
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