[发明专利]基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器有效
| 申请号： | 202110324085.9 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113865723B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 | 申请（专利权）人： | 北京北方高业科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/10 | 分类号： | G01J5/10;G01J5/20;G01J5/24;G01J5/58;G01J5/00;G01J5/068 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 祝乐芳 |
| 地址： | 100070 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器，该镜像像元包括：CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上方直接制备CMOS红外传感结构；CMOS红外传感结构包括反射层和红外转换结构，红外转换结构通过支撑底座与CMOS测量电路系统电连接，构成热敏层的材料包括非晶硅、氧化钛、氧化钒或氧化钛钒中的至少一种；CMOS测量电路系统与红外转换结构之间未形成谐振腔，或者形成的谐振腔无法将红外光反射至红外转换结构，或者红外转换结构反射红外光。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cmos 工艺 红外探测器 镜像像元 | ||
【主权项】：
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