[发明专利]纳米晶、其制备方法及应用在审
| 申请号： | 202110324679.X | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113061428A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周健海;贾轩睿 | 申请（专利权）人： | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;H01L33/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310052 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种纳米晶、其制备方法及应用，该纳米晶包括：半导体材料的芯；二氧化硅层，位于所述芯表面上；配体层，位于所述二氧化硅层的远离所述芯的表面上，所述配体层包括第一配体，所述第一配体包括金属盐。本申请解决了现有技术中二氧化硅包覆纳米晶的荧光量子产率低的问题，并且提高了二氧化硅包覆纳米晶的抗光照性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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