[发明专利]一种高饱和磁化强度低温烧结LiZn铁氧体材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110324931.7 申请日: 2021-03-26
公开(公告)号: CN113072371B 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 徐秉川;张怀武;李颉;马永祥 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/622;C04B35/64;H01F1/34;H01F41/02
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 甘茂
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域,提供一种高饱和磁化强度低温烧结LiZn铁氧体材料及其制备方法,用以提升LiZn铁氧体材料的饱和磁化强度,进而使之能够适应更多频段的移相器,使微波器件能够满足小型化、集成化、高性能化的趋势。本发明通过Zr离子部分取代的LiZn铁氧体中的Zn离子,得到LiZn铁氧体材料:Li0.43Zn0.27Zr0.13Fe2.17O4,其在保持较低铁磁共振线宽和较低矫顽力的同时、显著提升饱和磁化强度,最高可到高达102.4emu/g;并且,采用Bi2O3作为助烧剂实现该LiZn铁氧体材料的低温烧结,满足LTCC技术的要求;另外,本发明LiZn铁氧体材料的制备工艺简单、制备成本低,利于工业化生产。
搜索关键词: 一种 饱和磁化强度 低温 烧结 lizn 铁氧体 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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