[发明专利]一种可有效减少SiC单晶缺陷的方法及装置在审
| 申请号： | 202110326453.3 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113073384A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 赵丽丽 |
| 主分类号： | C30B23/06 | 分类号： | C30B23/06;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 李晓敏 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明为一种可有效减少SiC单晶缺陷的方法及装置，属于晶体制备领域，是针对现有SiC在制备过程中原料利用率低的缺陷所提出，其包括：坩埚、籽晶和导流罩，坩埚包括坩埚盖和坩埚主体，在坩埚主体内设有原料区，导流罩通过凸台安装在坩埚主体的内壁上，且位于原料区上方，籽晶固定在坩埚盖内侧，且籽晶位于导流罩顶部开口内，在原料区内填充有两种不同粒径的碳化硅原料一和碳化硅原料二，碳化硅原料一与碳化硅原料二被环形石墨滤网分隔，且碳化硅原料一位于环形石墨滤网内部，碳化硅原料二位于环形石墨滤网外周；在导流罩的外侧设有石墨片，石墨片粘贴在坩埚主体和坩埚盖的内壁上。本发明通过填充不同孔径的碳化硅原料来提高原料利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 减少 sic 缺陷 方法 装置 | ||
【主权项】：
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