[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110326986.1 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113241382A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 林意茵 | 申请（专利权）人： | 威世通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。所述半导体器件包括：衬底、设置在所述衬底上的第一有源层，以及设置在所述第一有源层上的第二有源层。所述第二有源层具有比所述第一有源层高的带隙，使得在所述第一有源层与所述第二有源层之间产生二维电子气层。第一电极具有设置在所述第二有源层中的凹部中的第一部分以及设置在所述第二有源层上的第二部分使得肖特基结形成在所述第一电极和所述第二有源层之间。所述第一电极的第一部分具有比所述第一电极的第二部分低的肖特基势垒。第二电极与所述第一有源层接触。所述第二电极与所述第一有源层建立欧姆结。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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