[发明专利]具有堆叠层的边缘耦合器有效
| 申请号： | 202110327052.X | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113640925B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 卞宇生;R·A·安葛尔;米歇尔·拉科斯基;K·J·吉旺特;K·努米;K·K·德兹富良;彭博 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42;G02B6/12;G02B6/122;H01S3/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有堆叠层的边缘耦合器，揭示包括边缘耦合器的结构以及制造包括边缘耦合器的结构的方法。该边缘耦合器包括波导芯，以及位于该波导芯的部分上方的成形层。该波导芯由第一材料组成，且该成形层由组分与该第一材料不同的第二材料组成。该第一材料可为例如单晶硅，且该第二材料可为例如氮化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 边缘 耦合器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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