[发明专利]一种磷化铟单晶生长的恒压恒流保护气装置及磷化铟单晶生长的方法在审
| 申请号： | 202110327313.8 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN112899785A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 柯尊斌;乔印彬;罗福敏;王卿伟 | 申请（专利权）人： | 中锗科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B11/00;C30B27/00 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 李建芳 |
| 地址： | 211299 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磷化铟单晶生长的恒压恒流保护气装置及磷化铟单晶生长的方法，恒压恒流保护气装置，包括VGF生长炉、气体储罐、高压气泵和气体加热套；VGF生长炉包括高压腔，高压腔的顶部设有上盖、底部设有下盖，高压腔内侧设有筒状的加热器，上盖上设有与加热器相通的出气管路，下盖上设有与加热器相通的进气管路；上盖上的出气管路通过第一管路与气体储罐的进气口连通，气体储罐的出气口通过第二管路与高压气泵的进气口连通，高压气泵的出气口通过第三管路与气体加热套的进气口连通，气体加热套的出气口通过第四管路与下盖上的进气管路连通。上述装置，可实现氮气热气流的稳定单向流动，避免了炉内气体对流，大大提高了成晶率，达到45.3％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 铟单晶 生长 恒压恒流 保护 装置 方法 | ||
【主权项】：
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