[发明专利]一种具有低近场辐射EMI噪声的功率模块在审
| 申请号： | 202110327578.8 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113113389A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 郭清;张茂盛;任娜;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L25/07 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 张解翠 |
| 地址： | 310012 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种具有低近场辐射EMI噪声的功率模块，尤其是功率模块内部DBC结构上层铜箔布线的栅‑源极路径结构设计，其中DBC结构上层铜箔中的“L”形的栅极路径和源极路径均对称分布于功率模块长轴中心线两侧，栅极路径布局于模块外侧区域，源极路径布局于更接近模块中心的区域；单个桥臂的DBC结构上层铜箔中的栅极路径组合和源极路径组合均呈“匚”形；上桥栅极路径组合和下桥栅极路径组合对称分布于模块短轴中心线的两侧，上桥源极路径组合和下桥源极路径组合对称分布于模块短轴中心线的两侧并嵌套于栅极路径组合内部。提出的栅‑源极路径结构设计可降低功率模块的近场辐射EMI噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 近场 辐射 emi 噪声 功率 模块 | ||
【主权项】：
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