[发明专利]一种pn结型氧化镓基自供电紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及一种pn结型氧化镓基自供电紫外探测器及其制备方法，探测器包含衬底、p‑Cr2O3层、n‑Ga2O3层、双层石墨烯层、第一金属电极和第二金属电极，其中，p‑Cr2O3层位于衬底的一侧，n‑Ga2O3层的面积小于述p‑Cr2O3层的面积，n‑Ga2O3层和第二金属电极均位于p‑Cr2O3层背离衬底的一侧，n‑Ga2O3层和第二金属电极不直接接触；双层石墨烯层位于n‑Ga2O3层背离p‑Cr2O3层一侧，第一金属电极位于双层石墨烯层背离n‑Ga2O3层一侧，p‑Cr2O3层和n‑Ga2O3层形成Cr2O3/Ga2O3pn结。本发明探测器可在0V偏压下工作，具有零功耗探测紫外光信号的特点，在导弹跟踪、紫外通信、电晕监测等军民领域有广泛的应用。